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杉本 俊一; 河西 俊一; 清水 雄一; 鈴木 伸武; 大西 一彰*; 荒井 重義*
RTM-91-37, p.27 - 32, 1991/00
ポリエーテルスルフォン(PES)に真空中または空気中でエキシマレーザーからのArFまたはKrF光を照射し、表面化学状態変化を光電子分光分析(XPS)およびフーリエ変換赤外分光分析(FTIR-ATR)法を用いて調べた。真空中でArF(193nm)またはKrF(248nm)を照射したPESのXPS測定からスルホニル基の酸素が選択的に脱離し、単体の硫黄が析出していることが判った。真空中でレーザー光を照射するとArFおよびKrF光いづれの照射の場合もカルボニル基が生成した。さらにArF光照射では、スルホニル基から酸素が選択的に脱離すると共に、全硫黄量も著しく減少し、分子鎖が-C-S-C-結合位置で切断することが明らかになった。
吉川 正人; 瀬口 忠男; 吉田 健三
EIM-84-136, p.75 - 84, 1984/00
エチレンプロピレンゴムが
線および高温飽和水蒸気に曝されたとき、飽和水蒸気の劣化因子である熱および水が絶縁抵抗に与える影響をしらべた。線照射は酸素加圧下と真空中で行なった。その後窒素加圧下で加熱処理、および引続き水蒸気曝露を行ない絶縁抵抗の変化を測定した。真空中照射試料では線量が増大しても体積抵抗率の変化が小さく、熱と水の効果はきわめて少なかった。これに対して酸素加圧下で照射を行ない、試料全体が放射線酸化されたものは窒素加圧下の熱処理によって体積抵抗率は回復する挙動をとるが、その後の水蒸気曝露によって体積抵抗率は低下した。この効果は線量に依存することがわかった。
吉川 正人; 瀬口 忠男; 吉田 健三
EIM-83-121, p.55 - 64, 1983/00
高分子絶縁材料が線と高温飽和水蒸気に曝されたとき、絶縁抵抗がどのように変化するかをしらべた。試料は実用配合およびモデル配合のエチレンプロピレンゴムを用いた。線照射は放射線照射条件が絶縁抵抗にあたえる影響に注目し、酸素加圧下と真空中で行なった。酸素加圧下照射試料は、線量に対し体積抵抗率の対数値が直線的に低下した。照射後の水蒸気曝露では温度が低温の時は、線量によらず体積抵抗率が回復するが、高温になると線量の多い試料は体積抵抗率が回復しなくなり、低下するようになった。一方、真空中照射試料は線量の増加に対しても体積抵抗率の変化は少なく、その後の水蒸気曝露の影響もきわめて小さかった。
梶 加名子; 岡田 紀夫; 桜田 一郎*
繊維学会誌, 34(12), p.545 - 550, 1978/00
全芳香族ポリアミド、ポリ-m-フェニレンイソクタルアミド(m-PIA)及びポリ-p-フェニレンテレフタルアミド(p-PTA)に対する放射線照射効果をCo60線及びV.d.G.電子線を用い検討した。m-PIA,p-PTA共真空中照射においては1000Mradの照射においても強伸度の低下はほとんどなく、むしろやや増大する傾向がみられる。空気中照射においては強伸度は照射によりやや減少し、酸素の存在が主鎖切断を促進していることがわかるがナイロン6の200Mrad空気中線照射後の強度保持率が4%であるのに反し、m-PIAのそれは91%,p-PTAのそれは99%であり全芳香族ポリアミドが脂肪族ポリアミドに比して著しく放射線に対して安定であることが明らかになった。溶液粘度の測定より、全芳香族ポリアミドにおいても脂肪族ポリアミド同様真空中照射においては架橋反応が、空気中照射においては崩壊反応が優先していることが明らかになった。熱分解特性からみた耐熱性は1000Mradの照射後も損なわれていないことがわかった。
